SJMN230R70ZF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN230R70ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN230R70ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN230R70ZF даташит

 ..1. Size:643K  auk
sjmn230r70zf.pdfpdf_icon

SJMN230R70ZF

SJMN230R70ZF Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance RDS(on)=0.2 (Typ.) Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN230R70ZF N230R70Z TO-22

 9.1. Size:633K  auk
sjmn250r80zw.pdfpdf_icon

SJMN230R70ZF

SJMN250R80ZW Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN250R80ZW N250R80Z TO-247 Marking Information Column 1 Manufac

 9.2. Size:731K  auk
sjmn290r60zd.pdfpdf_icon

SJMN230R70ZF

SJMN290R60ZD Super Junction MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g D Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN290R60ZD SJMN290R60Z TO-252 Marking Information SJMN Column

 9.3. Size:657K  auk
sjmn250r80zf.pdfpdf_icon

SJMN230R70ZF

SJMN250R80ZF Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN250R80ZF N250R80Z TO-220F-3L Marking Information Column 1

Другие IGBT... SJMN180R65CF, SJMN190R60F, SJMN190R65B, SJMN190R65F, SJMN190R65W, SJMN1K2R80ZD, SJMN1K4R90ZD, SJMN1K6R70D, IRFB31N20D, SJMN250R80ZB, SJMN250R80ZF, SJMN250R80ZP, SJMN250R80ZW, SJMN290R60ZD, SJMN290R60ZF, SJMN360R70ZD, SJMN360R70ZF