SJMN600R70ZD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN600R70ZD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SJMN600R70ZD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN600R70ZD даташит

 ..1. Size:678K  auk
 sjmn600r70zd.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZD

SJMN600R70ZD Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g D Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN600R70ZD SJMN600R70Z TO-252 Marking Information Column

 3.1. Size:629K  auk
 sjmn600r70zf.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZD

SJMN600R70ZF Super Junction MOSFET 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Built-in ESD Diode 100% avalanche tested Halogen free and RoHS compliant device G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R70ZF N600R70Z TO-220F-3L Marking Information Colum

 4.1. Size:567K  1
 sjmn600r70f.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZD

SJMN600R70F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN600R70F N600R70 T

 4.2. Size:803K  auk
 sjmn600r70mf.pdf pdf_icon

SJMN600R70ZD

SJMN600R70MF Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =750V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=15nC(Typ.) RoHS compliant device and Halogen-free device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN600R65CD, SJMN600R65CF, SJMN600R65D, SJMN600R65F, SJMN600R70D, SJMN600R70I, SJMN600R70MD, SJMN600R70MF, IRFP260N, SJMN600R70ZF, SJMN670R80ZD, SJMN670R80ZF, SJMN850R80ZD, SJMN850R80ZF, SMK0260DN, SMK0260F, SMK0260I