SNA3100L10NN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNA3100L10NN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: (DFN3X3)

Аналог (замена) для SNA3100L10NN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNA3100L10NN даташит

 ..1. Size:474K  auk
 sna3100l10nn.pdf pdf_icon

SNA3100L10NN

SNA3100L10NN Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8M SNA3100L10NN 3100L10 (DFN 3x

 3.1. Size:596K  auk
 sna3100l10nl.pdf pdf_icon

SNA3100L10NN

SNA3100L10NL Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge Q = 7nC (Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8 SNA3100L10NL 3100L10 (DFN 5x

Другие IGBT... SMK0760F, SMK0780F, SMK1040F, SMK1065F, SMN03T80I, SMN0665FD, SMN630LD, SNA3100L10NL, IRF4905, SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL