Справочник MOSFET. SNA3100L10NN

 

SNA3100L10NN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SNA3100L10NN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: (DFN3X3)

 Аналог (замена) для SNA3100L10NN

 

 

SNA3100L10NN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  auk
 sna3100l10nn.pdf

SNA3100L10NN SNA3100L10NN

SNA3100L10NN Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8M SNA3100L10NN 3100L10 (DFN 3x

 3.1. Size:596K  auk
 sna3100l10nl.pdf

SNA3100L10NN SNA3100L10NN

SNA3100L10NL Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC (Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8 SNA3100L10NL 3100L10 (DFN 5x

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top