Справочник MOSFET. SNA3100L10NN

 

SNA3100L10NN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNA3100L10NN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: (DFN3X3)
 

 Аналог (замена) для SNA3100L10NN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNA3100L10NN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  auk
 sna3100l10nn.pdf pdf_icon

SNA3100L10NN

SNA3100L10NN Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC(Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8M SNA3100L10NN 3100L10 (DFN 3x

 3.1. Size:596K  auk
 sna3100l10nl.pdf pdf_icon

SNA3100L10NN

SNA3100L10NL Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET Logic Level Gate Drive Application Features Low On-state resistance: 310m at V = 10V, I = 2A GS D Low gate charge: Q = 7nC (Typ.) at V = 10V g GS High performance trench technology Halogen free and RoHS compliant device Ordering Information Part Number Marking Package TESOP-8 SNA3100L10NL 3100L10 (DFN 5x

Другие MOSFET... SMK0760F , SMK0780F , SMK1040F , SMK1065F , SMN03T80I , SMN0665FD , SMN630LD , SNA3100L10NL , IRF4905 , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL .

History: NTS4173PT1G | R6025ANZ | NTS4172NT1G | SWD5N65K | FDN371N | NDT12P20 | SNN3100L15Q

 

 
Back to Top

 


 
.