SNN10R10LD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SNN10R10LD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SNN10R10LD
SNN10R10LD Datasheet (PDF)
snn10r10ld.pdf

SNN10R10LD N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low R & FOM DS(on)D Low drain-source On resistance: R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN10R10LD SNN10R10L TO-252 M
snn10r10lf.pdf

SNN10R10LF N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low R & FOM DS(on) Low drain-source On resistance: R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SNN10R10LF SNN10R10L TO-220F-3L
snn1000l10d.pdf

SNN1000L10DN-Ch Trench MOSFETPower Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low gate charge device Low drain-source On resistance: R =68m (Typ.) DS(on)D Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test Ordering Information GSPart Number Marking Package TO-252 SNN1000L10D SNN1000L10 TO-25
snn1000l10d.pdf

SNN1000L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=68m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S TO-252 Part Number Marking Package SNN1000L10D SNN1000L10 TO-252
Другие MOSFET... SMN03T80I , SMN0665FD , SMN630LD , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , 8205A , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , SNN200L10D , SNN300L06D , SNN3100L10D , SNN3100L10Q .
History: NCEP18N10AK | SNN3515D | WNMD2166 | WMR15N02T1 | SI7157DP | IRFB4410PBF | TMA20N65HG
History: NCEP18N10AK | SNN3515D | WNMD2166 | WMR15N02T1 | SI7157DP | IRFB4410PBF | TMA20N65HG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815