SNN10R10LD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN10R10LD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SNN10R10LD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN10R10LD даташит

 ..1. Size:752K  auk
 snn10r10ld.pdf pdf_icon

SNN10R10LD

SNN10R10LD N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BV =100V DSS Low R & FOM DS(on) D Low drain-source On resistance R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN10R10LD SNN10R10L TO-252 M

 5.1. Size:713K  auk
 snn10r10lf.pdf pdf_icon

SNN10R10LD

SNN10R10LF N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BV =100V DSS Low R & FOM DS(on) Low drain-source On resistance R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SNN10R10LF SNN10R10L TO-220F-3L

 9.1. Size:561K  auk
 snn1000l10d.pdf pdf_icon

SNN10R10LD

SNN1000L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BV =100V DSS Low gate charge device Low drain-source On resistance R =68m (Typ.) DS(on) D Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-252 SNN1000L10D SNN1000L10 TO-25

 9.2. Size:719K  kodenshi
 snn1000l10d.pdf pdf_icon

SNN10R10LD

SNN1000L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance RDS(on)=68m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S TO-252 Part Number Marking Package SNN1000L10D SNN1000L10 TO-252

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SMN03T80I, SMN0665FD, SMN630LD, SNA3100L10NL, SNA3100L10NN, SNN055N085D, SNN060L10F, SNN060L10NL, IRFP260, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL, SNN200L10D, SNN300L06D, SNN3100L10D, SNN3100L10Q