Справочник MOSFET. SNN10R10LD

 

SNN10R10LD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SNN10R10LD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SNN10R10LD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN10R10LD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  auk
snn10r10ld.pdfpdf_icon

SNN10R10LD

SNN10R10LD N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low R & FOM DS(on)D Low drain-source On resistance: R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN10R10LD SNN10R10L TO-252 M

 5.1. Size:713K  auk
snn10r10lf.pdfpdf_icon

SNN10R10LD

SNN10R10LF N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low R & FOM DS(on) Low drain-source On resistance: R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SNN10R10LF SNN10R10L TO-220F-3L

 9.1. Size:561K  auk
snn1000l10d.pdfpdf_icon

SNN10R10LD

SNN1000L10DN-Ch Trench MOSFETPower Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low gate charge device Low drain-source On resistance: R =68m (Typ.) DS(on)D Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test Ordering Information GSPart Number Marking Package TO-252 SNN1000L10D SNN1000L10 TO-25

 9.2. Size:719K  kodenshi
snn1000l10d.pdfpdf_icon

SNN10R10LD

SNN1000L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=68m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S TO-252 Part Number Marking Package SNN1000L10D SNN1000L10 TO-252

Другие MOSFET... SMN03T80I , SMN0665FD , SMN630LD , SNA3100L10NL , SNA3100L10NN , SNN055N085D , SNN060L10F , SNN060L10NL , 8205A , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , SNN200L10D , SNN300L06D , SNN3100L10D , SNN3100L10Q .

History: NCEP18N10AK | SNN3515D | WNMD2166 | WMR15N02T1 | SI7157DP | IRFB4410PBF | TMA20N65HG

 

 
Back to Top

 


 
.