SNN300L06D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNN300L06D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для SNN300L06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SNN300L06D даташит

 ..1. Size:612K  auk
snn300l06d.pdfpdf_icon

SNN300L06D

SNN300L06D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage BVDSS=60V Low gate charge device D Low drain-source On resistance RDS(on)=25m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S TO-252 Part Number Marking Package SNN300L06D SNN300L06 TO-252 Ma

Другие IGBT... SNN060L10F, SNN060L10NL, SNN10R10LD, SNN10R10LF, SNN1120L10Q, SNN1530NL, SNN1830NL, SNN200L10D, AON7410, SNN3100L10D, SNN3100L10Q, SNN3100L15Q, SNN3530BNL, SNN3530NL, SNP130L04F, SNP250L06F, SRN0765D