SNN300L06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SNN300L06D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SNN300L06D
SNN300L06D Datasheet (PDF)
snn300l06d.pdf

SNN300L06D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=60V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=25m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S TO-252 Part Number Marking Package SNN300L06D SNN300L06 TO-252 Ma
Другие MOSFET... SNN060L10F , SNN060L10NL , SNN10R10LD , SNN10R10LF , SNN1120L10Q , SNN1530NL , SNN1830NL , SNN200L10D , RFP50N06 , SNN3100L10D , SNN3100L10Q , SNN3100L15Q , SNN3530BNL , SNN3530NL , SNP130L04F , SNP250L06F , SRN0765D .
History: WST3078 | MTBA6C12J4 | MTB23C04J4 | WMK4N150D1 | SCG3019
History: WST3078 | MTBA6C12J4 | MTB23C04J4 | WMK4N150D1 | SCG3019



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n