Справочник MOSFET. SUN830I

 

SUN830I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUN830I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для SUN830I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUN830I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  auk
 sun830i.pdf pdf_icon

SUN830I

SUN830I Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features BV =500V Min. DSS Low gate charge: Q =13.5nC (Typ.) g Low drain-source On resistance: R =1.3 (Typ.) DS(on) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information Part Number Marking Package I-PAK SUN830I SUN830 I-PAK Marking Information SUN Column

 8.1. Size:660K  auk
 sun830dn.pdf pdf_icon

SUN830I

SUN830DN Advanced N-Ch Power MOSFET HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =13.5nC (Typ.) D g Low reverse transfer capacitance: C =8pF (Typ.) rss Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Packa

 8.2. Size:482K  auk
 sun830f.pdf pdf_icon

SUN830I

SUN830FNew Generation N-Ch Power MOSFETHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =13nC (Typ.) g Low reverse transfer capacitance: C =8pF (Typ.) rss RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D SPart Number Marking Package TO-220F-3L SUN830F SUN830 TO

 8.3. Size:431K  auk
 sun830d.pdf pdf_icon

SUN830I

SUN830DAdvanced N-Ch Power MOSFETHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features Low drain-source On resistance: R =1.3 (Typ.) DS(on) Low gate charge: Q =13.5nC (Typ.) gD Low reverse transfer capacitance: C =8pF (Typ.) rss Halogen free device and RoHS compliant device 100% avalanche tested GOrdering Information SPart Number Marking Package TO-252

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SUN05A50ZD , SUN05A50ZF , SUN09A40D , SUN50A20CI , SUN82A20CI , SUN830D , SUN830DN , SUN830F , CS150N03A8 , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E , AOCR36330 , AOCR32326 , AOCA32112E , AOCA32116E , AOCA24108E .

 

 
Back to Top

 


 
.