AOCA32116E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCA32116E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: DFN1.20X1.20-4L

Аналог (замена) для AOCA32116E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA32116E даташит

 ..1. Size:577K  aosemi
aoca32116e.pdfpdf_icon

AOCA32116E

AOCA32116E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 6.1. Size:590K  aosemi
aoca32112e.pdfpdf_icon

AOCA32116E

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:602K  aosemi
aoca32107e.pdfpdf_icon

AOCA32116E

AOCA32107E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.2. Size:772K  aosemi
aoca32106e.pdfpdf_icon

AOCA32116E

AOCA32106E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие IGBT... SUN830F, SUN830I, QM1830M3, AOCR33105E, AOCR35101E, AOCR36330, AOCR32326, AOCA32112E, 75N75, AOCA24108E, AOCA32106E, AOCA72114, AOCA32301, AOCA24106C, AOCA24106E, AOCA33103E, AOCA33104A