AOCA24108E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOCA24108E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2000 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: DFN1.79X1.18-6L
Аналог (замена) для AOCA24108E
AOCA24108E Datasheet (PDF)
aoca24108e.pdf
AOCA24108E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoca24106c.pdf
AOCA24106C12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET Technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoca24106e.pdf
AOCA24106E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)
Другие MOSFET... SUN830I , QM1830M3 , AOCR33105E , AOCR35101E , AOCR36330 , AOCR32326 , AOCA32112E , AOCA32116E , AO3400A , AOCA32106E , AOCA72114 , AOCA32301 , AOCA24106C , AOCA24106E , AOCA33103E , AOCA33104A , AOCA33104E .
History: RU6H2K | AOD2910E | WML20N50D1 | SM6027NSKP | LSC80R350GT | IRFF9113
History: RU6H2K | AOD2910E | WML20N50D1 | SM6027NSKP | LSC80R350GT | IRFF9113
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550




