Справочник MOSFET. AOC3860C

 

AOC3860C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOC3860C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3800 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.05X1.77B-6L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOC3860C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  aosemi
aoc3860c.pdfpdf_icon

AOC3860C

AOC3860C12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:699K  aosemi
aoc3860a.pdfpdf_icon

AOC3860C

AOC3860A12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.2. Size:684K  aosemi
aoc3860.pdfpdf_icon

AOC3860C

AOC386012V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:469K  aosemi
aoc3864.pdfpdf_icon

AOC3860C

AOC386420V Common-Drain Dual N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 20V Low RSS(ON) Fully protected AlphaDFN package RSS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие MOSFET... AONT21313C , AONT32136C , AOC3870A , AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AO4468 , AOCA33102E , AOCA36116C , AOCA32317 , AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 .

 

 
Back to Top

 


 
.