AONR32318. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR32318

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для AONR32318

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR32318 даташит

 ..1. Size:354K  aosemi
 aonr32318.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR32318 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:348K  aosemi
 aonr32314.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR32340C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:369K  aosemi
 aonr32320c.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOCA32108E, AOCA35212E, AOC3860A, AOC3860C, AOCA33102E, AOCA36116C, AOCA32317, AONR30310, IRF3205, AONR34332C, AONR36321, AONR62921, AONR66820, AONR66821, AONR66922, AONE38132, AONP36332