AONR32318 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONR32318 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONR32318
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для AONR32318

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR32318 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  aosemi
 aonr32318.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR3231830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:348K  aosemi
 aonr32314.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR32340C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:369K  aosemi
 aonr32320c.pdf pdf_icon

AONR32318

AONR32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , AOCA32317 , AONR30310 , IRF3205 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 , AONE38132 , AONP36332 .

 

 
Back to Top

 


 
.