Справочник MOSFET. AONR36321

 

AONR36321 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR36321
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для AONR36321

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR36321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR36321

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:755K  aosemi
 aonr36326c.pdf pdf_icon

AONR36321

AONR36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:547K  aosemi
 aonr36328.pdf pdf_icon

AONR36321

AONR3632830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:401K  aosemi
 aonr36329.pdf pdf_icon

AONR36321

AONR3632930V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , AOCA32317 , AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C , IRF840 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 , AONE38132 , AONP36332 , AONP36336 , AONP36320 .

History: SE30150A | SL3401S

 

 
Back to Top

 


 
.