Справочник MOSFET. AONR66820

 

AONR66820 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AONR66820
   Маркировка: 66820
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

 Аналог (замена) для AONR66820

 

 

AONR66820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  aosemi
 aonr66820.pdf

AONR66820 AONR66820

AONR66820TM80V N-Channel AlphaSGT2General Description Product SummaryVDS80V Trench Power MOSFET - AlphaSGT2TM technology 80V ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Excellent Qg x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf

AONR66820 AONR66820

AONR66821TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf

AONR66820 AONR66820

AONR66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:806K  aosemi
 aonr66922.pdf

AONR66820 AONR66820

AONR66922TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:487K  aosemi
 aonr66924.pdf

AONR66820 AONR66820

AONR66924TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 32A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.4. Size:332K  aosemi
 aonr66406.pdf

AONR66820 AONR66820

AONR66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 30A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 

Back to Top