AONR66820. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR66820

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для AONR66820

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR66820 даташит

 ..1. Size:386K  aosemi
 aonr66820.pdf pdf_icon

AONR66820

AONR66820 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V Trench Power MOSFET - AlphaSGT2TM technology 80V ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Excellent Qg x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR66820

AONR66821 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR66820

AONR66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:806K  aosemi
 aonr66922.pdf pdf_icon

AONR66820

AONR66922 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOCA33102E, AOCA36116C, AOCA32317, AONR30310, AONR32318, AONR34332C, AONR36321, AONR62921, IRF540N, AONR66821, AONR66922, AONE38132, AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U