AONR66922. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR66922

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для AONR66922

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR66922 даташит

 ..1. Size:806K  aosemi
 aonr66922.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66922 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:487K  aosemi
 aonr66924.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66924 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 32A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66821 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOCA32317, AONR30310, AONR32318, AONR34332C, AONR36321, AONR62921, AONR66820, AONR66821, 50N06, AONE38132, AONP36332, AONP36336, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E