AONR66922 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONR66922 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONR66922
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для AONR66922

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR66922 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:806K  aosemi
 aonr66922.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66922TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:487K  aosemi
 aonr66924.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66924TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 32A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR66922

AONR66821TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOCA32317 , AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , 50N06 , AONE38132 , AONP36332 , AONP36336 , AONP36320 , AONP38324 , AONP36332U , AONP38324U , AOCA36102E .

 

 
Back to Top

 


 
.