AONP36336. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONP36336

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3B-8L

Аналог (замена) для AONP36336

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONP36336 даташит

 ..1. Size:1546K  aosemi
 aonp36336.pdf pdf_icon

AONP36336

AONP36336 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:716K  aosemi
 aonp36332u.pdf pdf_icon

AONP36336

AONP36332U 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 97A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:735K  aosemi
 aonp36332.pdf pdf_icon

AONP36336

AONP36332 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:716K  aosemi
 aonp36320.pdf pdf_icon

AONP36336

AONP36320 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A 103A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR34332C, AONR36321, AONR62921, AONR66820, AONR66821, AONR66922, AONE38132, AONP36332, IRF640, AONP36320, AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, AONU32320