AONP38324
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AONP38324
Маркировка: 38324
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 134
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 27
nC
trⓘ -
Время нарастания: 3.5
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024
Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3C-8L
Аналог (замена) для AONP38324
AONP38324
Datasheet (PDF)
..1. Size:723K aosemi
aonp38324.pdf 
AONP3832430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 134A 110A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
0.1. Size:747K aosemi
aonp38324u.pdf 
AONP38324U30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 155A 118A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
9.1. Size:1546K aosemi
aonp36336.pdf 
AONP3633630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
9.2. Size:716K aosemi
aonp36332u.pdf 
AONP36332U30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 97A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
9.3. Size:716K aosemi
aonp36320.pdf 
AONP3632030V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A 103A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
9.4. Size:735K aosemi
aonp36332.pdf 
AONP3633230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.
