AONP38324. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONP38324

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 134 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3C-8L

Аналог (замена) для AONP38324

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONP38324 даташит

 ..1. Size:723K  aosemi
 aonp38324.pdf pdf_icon

AONP38324

AONP38324 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 134A 110A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:747K  aosemi
 aonp38324u.pdf pdf_icon

AONP38324

AONP38324U 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 155A 118A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:1546K  aosemi
 aonp36336.pdf pdf_icon

AONP38324

AONP36336 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 50A 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:716K  aosemi
 aonp36332u.pdf pdf_icon

AONP38324

AONP36332U 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Bottom source technology Very Low RDS(ON) at Vgs 4.5V ID (at VGS=10V) 97A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR62921, AONR66820, AONR66821, AONR66922, AONE38132, AONP36332, AONP36336, AONP36320, IRLZ44N, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AONH36328