Справочник MOSFET. AONR20334C

 

AONR20334C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR20334C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3A-8L
 

 Аналог (замена) для AONR20334C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR20334C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  aosemi
 aonr20334c.pdf pdf_icon

AONR20334C

AONR20334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:383K  aosemi
 aonr20485.pdf pdf_icon

AONR20334C

AONR2048540V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-40V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR20334C

AONR2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.2. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR20334C

AONR2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONP38324U , AOCA36102E , AOC3878 , AONG36322 , AONU32320 , AON7264C , AONH36328 , AONH36334 , IRF9540 , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C , AONR21311C , AONR26309A , AONR32320C , AONR36326C , AONR36328 .

History: 2SK1153 | TK40F08K3 | HY75N075T

 

 
Back to Top

 


 
.