AONR20485. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR20485

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3A-8L

Аналог (замена) для AONR20485

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR20485 даташит

 ..1. Size:383K  aosemi
aonr20485.pdfpdf_icon

AONR20485

AONR20485 40V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -40V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:388K  aosemi
aonr20334c.pdfpdf_icon

AONR20485

AONR20334C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
aonr21357.pdfpdf_icon

AONR20485

AONR21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.2. Size:318K  1
aonr21321.pdfpdf_icon

AONR20485

AONR21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

Другие IGBT... AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AONH36328, AONH36334, AONR20334C, P55NF06, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, AONR36328, AONR36329