AONR21311C - аналоги и даташиты транзистора

 

AONR21311C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONR21311C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3A-8L
 

 Аналог (замена) для AONR21311C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR21311C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  aosemi
 aonr21311c.pdf pdf_icon

AONR21311C

AONR21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -12A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21311C

AONR2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21311C

AONR2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.3. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21311C

AONR2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONU32320 , AON7264C , AONH36328 , AONH36334 , AONR20334C , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C , IRFP250N , AONR26309A , AONR32320C , AONR36326C , AONR36328 , AONR36329 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 .

 

 
Back to Top

 


 
.