AONR32320C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR32320C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3A-8L

Аналог (замена) для AONR32320C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR32320C даташит

 ..1. Size:369K  aosemi
 aonr32320c.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR32340C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:348K  aosemi
 aonr32314.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:354K  aosemi
 aonr32318.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR32318 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONH36328, AONH36334, AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, IRF9540, AONR36326C, AONR36328, AONR36329, AONR66620, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A