Справочник MOSFET. AONR32320C

 

AONR32320C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR32320C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3A-8L
 

 Аналог (замена) для AONR32320C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR32320C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  aosemi
 aonr32320c.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR32340C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:348K  aosemi
 aonr32314.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:354K  aosemi
 aonr32318.pdf pdf_icon

AONR32320C

AONR3231830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONH36328 , AONH36334 , AONR20334C , AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C , AONR21311C , AONR26309A , K3569 , AONR36326C , AONR36328 , AONR36329 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A .

History: MPSA80M250B | AOSN32128 | HM16N65F

 

 
Back to Top

 


 
.