AONR36328. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR36328

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3A-8L

Аналог (замена) для AONR36328

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR36328 даташит

 ..1. Size:547K  aosemi
 aonr36328.pdf pdf_icon

AONR36328

AONR36328 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR36328

AONR36321 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:755K  aosemi
 aonr36326c.pdf pdf_icon

AONR36328

AONR36326C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:401K  aosemi
 aonr36329.pdf pdf_icon

AONR36328

AONR36329 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, 2SK3878, AONR36329, AONR66620, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A