Справочник MOSFET. AONR36329

 

AONR36329 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR36329
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3A-8L
 

 Аналог (замена) для AONR36329

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR36329 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  aosemi
 aonr36329.pdf pdf_icon

AONR36329

AONR3632930V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR36329

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:755K  aosemi
 aonr36326c.pdf pdf_icon

AONR36329

AONR36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:547K  aosemi
 aonr36328.pdf pdf_icon

AONR36329

AONR3632830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR20485 , AONR21117 , AONR21305C , AONR21311C , AONR26309A , AONR32320C , AONR36326C , AONR36328 , 12N60 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 .

History: STS7PF30L

 

 
Back to Top

 


 
.