AONR66620. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONR66620

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3A-8L

Аналог (замена) для AONR66620

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR66620 даташит

 ..1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR66620

AONR66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR66620

AONR66821 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:806K  aosemi
 aonr66922.pdf pdf_icon

AONR66620

AONR66922 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:487K  aosemi
 aonr66924.pdf pdf_icon

AONR66620

AONR66924 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 32A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR21117, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, AONR36328, AONR36329, 2N7002, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324