AONL32328. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONL32328

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: DFN4X3A-12L

Аналог (замена) для AONL32328

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONL32328 даташит

 ..1. Size:916K  aosemi
 aonl32328.pdf pdf_icon

AONL32328

AONL32328 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary P-channel(Q1/Q3) N-channel(Q2/Q4) Pch+Nch Complementary MOSFET Trench Power MOSFET VDS (V) = -30V VDS (V) = 30V Low RDS(ON) ID = -7A ID = 8A (VGS = 10V) Low Gate Charge RDS(ON)

Другие IGBT... AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, AONR36328, AONR36329, AONR66620, AONR66924, IRF4905, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314