Справочник MOSFET. AON6152A

 

AON6152A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6152A
   Маркировка: 6152A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AON6152A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6152A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  aosemi
 aon6152a.pdf pdf_icon

AON6152A

AON6152ATM45V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS45V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:318K  aosemi
 aon6156.pdf pdf_icon

AON6152A

AON615645V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:308K  aosemi
 aon6154.pdf pdf_icon

AON6152A

AON615445V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 45V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  1
 aon6144.pdf pdf_icon

AON6152A

AON614440V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.