AONS1R1A70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS1R1A70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS1R1A70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS1R1A70 даташит

 ..1. Size:688K  aosemi
 aons1r1a70.pdf pdf_icon

AONS1R1A70

AONS1R1A70 TM 700V, aMOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 8.1. Size:671K  aosemi
 aons1r6a70.pdf pdf_icon

AONS1R1A70

AONS1R6A70 TM 700V, aMOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:432K  aosemi
 aons18314.pdf pdf_icon

AONS1R1A70

AONS18314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, 13N50, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AONS30300, AONS30302, AONS30306