Справочник MOSFET. AONS1R1A70

 

AONS1R1A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS1R1A70
   Маркировка: 1R1A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS1R1A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS1R1A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  aosemi
 aons1r1a70.pdf pdf_icon

AONS1R1A70

AONS1R1A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 20A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 8.1. Size:671K  aosemi
 aons1r6a70.pdf pdf_icon

AONS1R1A70

AONS1R6A70TM700V, aMOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 15A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:432K  aosemi
 aons18314.pdf pdf_icon

AONS1R1A70

AONS1831430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOE66410 , AON6152A , AON6264C , AON6590A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , TK10A60D , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 , AONS30302 , AONS30306 .

History: IRFP2907ZPBF | AP2535GEY-HF | IPW60R125CFD7 | SQ3985EV

 

 
Back to Top

 


 
.