AONS21321 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS21321 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS21321
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS21321

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS21321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf pdf_icon

AONS21321

AONS2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21321

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21321

AONS2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.3. Size:387K  aosemi
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21321

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , IRFB3607 , AONS30300 , AONS30302 , AONS30306 , AONS32100 , AONS32106 , AONS32302 , AONS32303 , AONS32304 .

 

 
Back to Top

 


 
.