Справочник MOSFET. AONS32106

 

AONS32106 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AONS32106
   Маркировка: 32106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для AONS32106

 

 

AONS32106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  aosemi
 aons32106.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3210620V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 20A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 6.1. Size:633K  aosemi
 aons32100.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3210025V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 25V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:384K  aosemi
 aons32314.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3230230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:634K  aosemi
 aons32310.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3231030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.4. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3230630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.5. Size:403K  aosemi
 aons32303.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3230330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.6. Size:754K  aosemi
 aons32304.pdf

AONS32106 AONS32106

AONS3230430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 140A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FSS923AOD | FCA20N60

 

 
Back to Top