AONS32106 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS32106 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS32106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS32106

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  aosemi
 aons32106.pdf pdf_icon

AONS32106

AONS3210620V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 20A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 6.1. Size:633K  aosemi
 aons32100.pdf pdf_icon

AONS32106

AONS3210025V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 25V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:384K  aosemi
 aons32314.pdf pdf_icon

AONS32106

AONS3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32106

AONS3230230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS20485 , AONS21113 , AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 , AONS30302 , AONS30306 , AONS32100 , AON7506 , AONS32302 , AONS32303 , AONS32304 , AONS32310 , AONS34304C , AONS34308C , AONS36302 , AONS36303 .

 

 
Back to Top

 


 
.