Справочник MOSFET. AONS32303

 

AONS32303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS32303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS32303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  aosemi
 aons32303.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS3230330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS3230230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS3230630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:754K  aosemi
 aons32304.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS3230430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 140A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS21309C , AONS21321 , AONS30300 , AONS30302 , AONS30306 , AONS32100 , AONS32106 , AONS32302 , IRF1407 , AONS32304 , AONS32310 , AONS34304C , AONS34308C , AONS36302 , AONS36303 , AONS36304 , AONS36306 .

 

 
Back to Top

 


 
.