AONS32303. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS32303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS32303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32303 даташит

 ..1. Size:403K  aosemi
 aons32303.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS32303 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS32302 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS32306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:754K  aosemi
 aons32304.pdf pdf_icon

AONS32303

AONS32304 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 140A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS21309C, AONS21321, AONS30300, AONS30302, AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, IRFP450, AONS32304, AONS32310, AONS34304C, AONS34308C, AONS36302, AONS36303, AONS36304, AONS36306