AONS32310. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS32310

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 400 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS32310

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32310 даташит

 ..1. Size:634K  aosemi
 aons32310.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS32310 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:384K  aosemi
 aons32314.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS32302 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS32306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS30300, AONS30302, AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303, AONS32304, AO4407, AONS34304C, AONS34308C, AONS36302, AONS36303, AONS36304, AONS36306, AONS36308, AONS36312