AONS32310 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS32310 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS32310
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 400 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32310 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  aosemi
 aons32310.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS3231030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:384K  aosemi
 aons32314.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS3230230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf pdf_icon

AONS32310

AONS3230630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS30300 , AONS30302 , AONS30306 , AONS32100 , AONS32106 , AONS32302 , AONS32303 , AONS32304 , P60NF06 , AONS34304C , AONS34308C , AONS36302 , AONS36303 , AONS36304 , AONS36306 , AONS36308 , AONS36312 .

History: UF830KG-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.