Справочник MOSFET. AONS36302

 

AONS36302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS36302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 146 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS36302

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  aosemi
 aons36302.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS3630230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 146A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:408K  aosemi
 aons36308.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS3630830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 53A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:416K  aosemi
 aons36303.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS3630330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:406K  aosemi
 aons36304.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS3630430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS32100 , AONS32106 , AONS32302 , AONS32303 , AONS32304 , AONS32310 , AONS34304C , AONS34308C , STF13NM60N , AONS36303 , AONS36304 , AONS36306 , AONS36308 , AONS36312 , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 .

 

 
Back to Top

 


 
.