AONS36302. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS36302

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 146 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS36302

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36302 даташит

 ..1. Size:406K  aosemi
 aons36302.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS36302 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 146A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:408K  aosemi
 aons36308.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS36308 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 53A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:416K  aosemi
 aons36303.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS36303 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:406K  aosemi
 aons36304.pdf pdf_icon

AONS36302

AONS36304 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303, AONS32304, AONS32310, AONS34304C, AONS34308C, IRFP250, AONS36303, AONS36304, AONS36306, AONS36308, AONS36312, AONS36314, AONS36316, AONS36321