AONS36306 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS36306 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS36306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS36306

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  aosemi
 aons36306.pdf pdf_icon

AONS36306

AONS3630630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 63A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:408K  aosemi
 aons36308.pdf pdf_icon

AONS36306

AONS3630830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 53A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:416K  aosemi
 aons36303.pdf pdf_icon

AONS36306

AONS3630330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:406K  aosemi
 aons36302.pdf pdf_icon

AONS36306

AONS3630230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 146A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS32303 , AONS32304 , AONS32310 , AONS34304C , AONS34308C , AONS36302 , AONS36303 , AONS36304 , 10N65 , AONS36308 , AONS36312 , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , AONS36335 , AONS36337 .

History: IRF7473 | AUIRF3205

 

 
Back to Top

 


 
.