Справочник MOSFET. AONS36321

 

AONS36321 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS36321
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36321 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  aosemi
aons36321.pdfpdf_icon

AONS36321

AONS3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 88A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:573K  aosemi
aons36348.pdfpdf_icon

AONS36321

AONS3634830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:574K  aosemi
aons36346.pdfpdf_icon

AONS36321

AONS3634630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.3. Size:414K  aosemi
aons36314.pdfpdf_icon

AONS36321

AONS3631430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DMN601TK | AFN3309WS | IPD50R280CE | MDP14N25CTP | ELM34608AA | NDT6N70 | HUFA76429S3S

 

 
Back to Top

 


 
.