AONS36321 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AONS36321. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS36321

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS36321

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AONS36321 даташит

..1. Size:424K aosemi
aons36321.pdf pdf_icon

AONS36321 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 88A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:573K aosemi
aons36348.pdf pdf_icon

AONS36348 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.2. Size:574K aosemi
aons36346.pdf pdf_icon

AONS36346 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.3. Size:414K aosemi
aons36314.pdf pdf_icon

AONS36314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)