AONS38108. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS38108

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 355 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS38108

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS38108 даташит

 ..1. Size:769K  aosemi
aons38108.pdfpdf_icon

AONS38108

AONS38108 25V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 25V Trench Power MOSFET technology Extremely Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 355A Optimized switching performance (low RDS(ON)*Qg) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:406K  aosemi
aons38203.pdfpdf_icon

AONS38108

AONS38203 25V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 311A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
aons30300.pdfpdf_icon

AONS38108

AONS30300 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:405K  aosemi
aons34304c.pdfpdf_icon

AONS38108

AONS34304C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS36314, AONS36316, AONS36321, AONS36333, AONS36335, AONS36337, AONS36346, AONS36348, 2N60, AONS38203, AONS420A60, AONS420A70, AONS520A70, AONS62530, AONS62606, AONS62614T, AONS62920