Справочник MOSFET. AONS520A70

 

AONS520A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS520A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS520A70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS520A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:689K  aosemi
 aons520a70.pdf pdf_icon

AONS520A70

AONS520A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AONS36335 , AONS36337 , AONS36346 , AONS36348 , AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , RU6888R , AONS62530 , AONS62606 , AONS62614T , AONS62920 , AONS65625 , AONS660A60 , AONS660A70F , AONS66402T .

History: FDBL86563F085 | AONS66609 | CJU03N80

 

 
Back to Top

 


 
.