AONS62530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS62530

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS62530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62530 даташит

 ..1. Size:493K  aosemi
 aons62530.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS62530 TM 150V N-Channel MOS General Description Product Summary VDS 150V Latest Trench Power MOS ( MOS MV) technology Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 19A Optimized for fast-switching applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:336K  1
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:336K  aosemi
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS62606 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS36337, AONS36346, AONS36348, AONS38108, AONS38203, AONS420A60, AONS420A70, AONS520A70, IRFB31N20D, AONS62606, AONS62614T, AONS62920, AONS65625, AONS660A60, AONS660A70F, AONS66402T, AONS66405