AONS62530 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS62530 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS62530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS62530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  aosemi
 aons62530.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS62530TM150V N-Channel MOSGeneral Description Product SummaryVDS150V Latest Trench Power MOS (MOS MV) technology Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 19A Optimized for fast-switching applications RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:336K  1
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:336K  aosemi
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62530

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS36337 , AONS36346 , AONS36348 , AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 , IRFZ46N , AONS62606 , AONS62614T , AONS62920 , AONS65625 , AONS660A60 , AONS660A70F , AONS66402T , AONS66405 .

 

 
Back to Top

 


 
.