FCU5N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FCU5N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
Тип корпуса: TO251, IPAK
FCU5N60 Datasheet (PDF)
1.1. fcu5n60.pdf 
Size:320K _fairchild_semi
August 2014 FCD5N60 / FCU5N60 N-Channel SuperFET® MOSFET 600 V, 4.6 A, 950 mΩ Features Description • 650 V @ TJ = 150°C SuperFET® MOSFET is Fairchild Semiconductor’s first genera- tion of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is • Typ. RDS(on) = 810 mΩ utilizing charge balance technology for outstanding low on- • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 16 nC) resis
1.2. fcd5n60 fcu5n60.pdf Size:973K _fairchild_semi
December 2008 TM SuperFET FCD5N60 / FCU5N60 600V N-Channel MOSFET Features Description • 650V @TJ = 150°C SuperFETTM is, Fairchild’s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge • Typ. Rds(on)=0.81Ω balance mechanism for outstanding low on-resistance and • Ultra low gate charge (typ. Qg=16nC) lower gate charge performanc
Другие MOSFET... FQPF16N25C , FQPF17N40 , FDS8690 , FQPF19N10 , FDD20AN06_F085 , FQPF19N20 , HUF76429D_F085 , FQPF19N20C , STF5N52U , FQPF20N06 , FQPF20N06L , FQPF22N30 , FQPF22P10 , FQPF27N25 , FQPF27P06 , FQPF2N60C , FCA20N60_F109 .
