AONS65625. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS65625

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 483 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS65625

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS65625 даташит

 ..1. Size:422K  aosemi
aons65625.pdfpdf_icon

AONS65625

AONS65625 60V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -60V Latest advanced trench technology Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -42A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:336K  1
aons62922.pdfpdf_icon

AONS65625

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:362K  aosemi
aons66402t.pdfpdf_icon

AONS65625

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:313K  aosemi
aons66916.pdfpdf_icon

AONS65625

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS38203, AONS420A60, AONS420A70, AONS520A70, AONS62530, AONS62606, AONS62614T, AONS62920, IRFZ48N, AONS660A60, AONS660A70F, AONS66402T, AONS66405, AONS66405T, AONS66407, AONS66408, AONS66415