AONS660A70F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS660A70F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS660A70F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS660A70F даташит

 ..1. Size:885K  aosemi
aons660a70f.pdfpdf_icon

AONS660A70F

AONS660A70F TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 6.1. Size:667K  aosemi
aons660a60.pdfpdf_icon

AONS660A70F

AONS660A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 28A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 8.1. Size:362K  aosemi
aons66402t.pdfpdf_icon

AONS660A70F

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:313K  aosemi
aons66916.pdfpdf_icon

AONS660A70F

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS420A70, AONS520A70, AONS62530, AONS62606, AONS62614T, AONS62920, AONS65625, AONS660A60, IRF830, AONS66402T, AONS66405, AONS66405T, AONS66407, AONS66408, AONS66415, AONS66520, AONS66521