AONS66605. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66605

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66605

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66605 даташит

 ..1. Size:440K  aosemi
 aons66605.pdf pdf_icon

AONS66605

AONS66605 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:412K  aosemi
 aons66609.pdf pdf_icon

AONS66605

AONS66609 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:436K  aosemi
 aons66607.pdf pdf_icon

AONS66605

AONS66607 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 75A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:416K  aosemi
 aons66609t.pdf pdf_icon

AONS66605

AONS66609T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 313A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS66405, AONS66405T, AONS66407, AONS66408, AONS66415, AONS66520, AONS66521, AONS66524, AO4407A, AONS66607, AONS66609, AONS66609T, AONS66612, AONS66612T, AONS66613, AONS66614, AONS66615