Справочник MOSFET. AONS66609T

 

AONS66609T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66609T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 313 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66609T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66609T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  aosemi
 aons66609t.pdf pdf_icon

AONS66609T

AONS66609TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 313A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:412K  aosemi
 aons66609.pdf pdf_icon

AONS66609T

AONS66609TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:436K  aosemi
 aons66607.pdf pdf_icon

AONS66609T

AONS6660760V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 75A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:440K  aosemi
 aons66605.pdf pdf_icon

AONS66609T

AONS6660560V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66408 , AONS66415 , AONS66520 , AONS66521 , AONS66524 , AONS66605 , AONS66607 , AONS66609 , IRFP064N , AONS66612 , AONS66612T , AONS66613 , AONS66614 , AONS66615 , AONS66615T , AONS66617 , AONS66620 .

History: NCEAP40T17AG

 

 
Back to Top

 


 
.