AONS66612T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66612T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 275 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00165 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66612T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66612T даташит

 ..1. Size:715K  aosemi
 aons66612t.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66612T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 275A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:377K  aosemi
 aons66612.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66612 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:410K  aosemi
 aons66615.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66615 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:447K  aosemi
 aons66617.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66617 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 110A MSL1 Rated 260 C reflow 175 C Junction temperature RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS66520, AONS66521, AONS66524, AONS66605, AONS66607, AONS66609, AONS66609T, AONS66612, IRFZ44N, AONS66613, AONS66614, AONS66615, AONS66615T, AONS66617, AONS66620, AONS66641, AONS66641T