AONS66612T - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS66612T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS66612T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 275 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00165 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66612T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66612T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  aosemi
 aons66612t.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66612TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 275A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:377K  aosemi
 aons66612.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66612TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:410K  aosemi
 aons66615.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66615TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:447K  aosemi
 aons66617.pdf pdf_icon

AONS66612T

AONS66617TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 110A MSL1 Rated 260C reflow 175C Junction temperature RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66520 , AONS66521 , AONS66524 , AONS66605 , AONS66607 , AONS66609 , AONS66609T , AONS66612 , IRFZ44N , AONS66613 , AONS66614 , AONS66615 , AONS66615T , AONS66617 , AONS66620 , AONS66641 , AONS66641T .

History: BRCS50N06IP | AP8604CDT

 

 
Back to Top

 


 
.