Справочник MOSFET. AONS66615T

 

AONS66615T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66615T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 114 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66615T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66615T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  aosemi
 aons66615t.pdf pdf_icon

AONS66615T

AONS66615TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 114A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:410K  aosemi
 aons66615.pdf pdf_icon

AONS66615T

AONS66615TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:377K  aosemi
 aons66612.pdf pdf_icon

AONS66615T

AONS66612TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:447K  aosemi
 aons66617.pdf pdf_icon

AONS66615T

AONS66617TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 110A MSL1 Rated 260C reflow 175C Junction temperature RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66607 , AONS66609 , AONS66609T , AONS66612 , AONS66612T , AONS66613 , AONS66614 , AONS66615 , 20N60 , AONS66617 , AONS66620 , AONS66641 , AONS66641T , AONS66811 , AONS66814 , AONS66817 , AONS66908 .

History: PSMN2R0-60ES | BUK762R9-40E | BUK725R0-40C

 

 
Back to Top

 


 
.