Справочник MOSFET. AONS66920

 

AONS66920 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66920
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66920

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66920 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:762K  aosemi
 aons66920.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:771K  aosemi
 aons66923.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 47A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:313K  aosemi
 aons66916.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66916TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:340K  aosemi
 aons66917t.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66917TTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 185A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66814 , AONS66817 , AONS66908 , AONS66909 , AONS66916T , AONS66917 , AONS66917T , AONS66919 , P55NF06 , AONS66923 , AONS67614 , AONS68520 , AONS74304 , AONS74306 , AONS74312 , AONS77402 , AONS850A70 .

History: FQPF9N15 | BUK7Y12-100E

 

 
Back to Top

 


 
.