AONS66920. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66920

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66920

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66920 даташит

 ..1. Size:762K  aosemi
 aons66920.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:771K  aosemi
 aons66923.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 47A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:313K  aosemi
 aons66916.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66916 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:314K  aosemi
 aons66966.pdf pdf_icon

AONS66920

AONS66966 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS66814, AONS66817, AONS66908, AONS66909, AONS66916T, AONS66917, AONS66917T, AONS66919, IRF3710, AONS66923, AONS67614, AONS68520, AONS74304, AONS74306, AONS74312, AONS77402, AONS850A70