Справочник MOSFET. AONX36322

 

AONX36322 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONX36322
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00495 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONX36322 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  aosemi
 aonx36322.pdf pdf_icon

AONX36322

AONX3632230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:1027K  aosemi
 aonx36324.pdf pdf_icon

AONX36322

AONX3632430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:563K  aosemi
 aonx36320.pdf pdf_icon

AONX36322

AONX36320TM30V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:539K  aosemi
 aonx38320.pdf pdf_icon

AONX36322

AONX3832030V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 66A 233A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.