Справочник MOSFET. AONX36324

 

AONX36324 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AONX36324
   Маркировка: 36324
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00495 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для AONX36324

 

 

AONX36324 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1027K  aosemi
 aonx36324.pdf

AONX36324 AONX36324

AONX3632430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:1214K  aosemi
 aonx36322.pdf

AONX36324 AONX36324

AONX3632230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:563K  aosemi
 aonx36320.pdf

AONX36324 AONX36324

AONX36320TM30V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 22A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:539K  aosemi
 aonx38320.pdf

AONX36324 AONX36324

AONX3832030V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 66A 233A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:546K  aosemi
 aonx38168.pdf

AONX36324 AONX36324

AONX3816825V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.3. Size:586K  aosemi
 aonx38168a.pdf

AONX36324 AONX36324

AONX38168A25V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 87A 226A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APT20M20LLLG | FQD5N50C | KRF7205

 

 
Back to Top