Справочник MOSFET. AONX38320

 

AONX38320 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONX38320
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONX38320 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  aosemi
 aonx38320.pdf pdf_icon

AONX38320

AONX3832030V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 66A 233A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:546K  aosemi
 aonx38168.pdf pdf_icon

AONX38320

AONX3816825V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:586K  aosemi
 aonx38168a.pdf pdf_icon

AONX38320

AONX38168A25V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 87A 226A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:1214K  aosemi
 aonx36322.pdf pdf_icon

AONX38320

AONX3632230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS74312 , AONS77402 , AONS850A70 , AONX36320 , AONX36322 , AONX36324 , AONX38168 , AONX38168A , K4145 , AONY36302 , AONY36304 , AONY36354 , AONY36306 , AONY36356 , AONZ66412 , AONV095A60 , AONV110A60 .

 

 
Back to Top

 


 
.