Справочник MOSFET. AONY36304

 

AONY36304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONY36304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONY36304

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONY36304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:745K  aosemi
aony36304.pdfpdf_icon

AONY36304

AONY3630430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 51A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:740K  aosemi
aony36302.pdfpdf_icon

AONY36304

AONY3630230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 51A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:712K  aosemi
aony36306.pdfpdf_icon

AONY36304

AONY3630630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V Vgs ID (at VGS=10V) 32A 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:594K  1
aony36352.pdfpdf_icon

AONY36304

AONY3635230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONS850A70 , AONX36320 , AONX36322 , AONX36324 , AONX38168 , AONX38168A , AONX38320 , AONY36302 , IRF4905 , AONY36354 , AONY36306 , AONY36356 , AONZ66412 , AONV095A60 , AONV110A60 , AONV125A60 , AONV140A60 .

 

 
Back to Top

 


 
.