AONY36306. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONY36306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6B-8L

Аналог (замена) для AONY36306

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONY36306 даташит

 ..1. Size:712K  aosemi
 aony36306.pdf pdf_icon

AONY36306

AONY36306 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) at 4.5V Vgs ID (at VGS=10V) 32A 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:740K  aosemi
 aony36302.pdf pdf_icon

AONY36306

AONY36302 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 51A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:745K  aosemi
 aony36304.pdf pdf_icon

AONY36306

AONY36304 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 51A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:594K  1
 aony36352.pdf pdf_icon

AONY36306

AONY36352 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 49A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONX36322, AONX36324, AONX38168, AONX38168A, AONX38320, AONY36302, AONY36304, AONY36354, AO3401, AONY36356, AONZ66412, AONV095A60, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AONV200A70