AONV110A60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONV110A60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8-4L

Аналог (замена) для AONV110A60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONV110A60 даташит

 ..1. Size:500K  aosemi
aonv110a60.pdfpdf_icon

AONV110A60

AONV110A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 140A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:491K  aosemi
aonv125a60.pdfpdf_icon

AONV110A60

AONV125A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:491K  aosemi
aonv140a60.pdfpdf_icon

AONV110A60

AONV140A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.3. Size:494K  aosemi
aonv180a60.pdfpdf_icon

AONV110A60

AONV180A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AONX38320, AONY36302, AONY36304, AONY36354, AONY36306, AONY36356, AONZ66412, AONV095A60, SPP20N60C3, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AONV200A70, AONV210A60, AONV310A60, AONV420A60, AONV420A70