AONV310A60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONV310A60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8-4L

Аналог (замена) для AONV310A60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONV310A60 даташит

 ..1. Size:485K  aosemi
 aonv310a60.pdf pdf_icon

AONV310A60

AONV310A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 56A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AONZ66412, AONV095A60, AONV110A60, AONV125A60, AONV140A60, AONV180A60, AONV200A70, AONV210A60, 5N65, AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128